Diskusijų apie kurį kristalinio silicio (c-Si) technologija yra dominuojanti saulės PV pramonė buvo ilgą laiką: monokristaliniai, auginamos taikant Czochralski metodą, arba Multicrystalline, taikant kryptingą kristalizaciją. Neseniai, tradiciškai didesnės išlaidos nespalvota tampa panašios įdiegta kelių, vedantis į nemažą mono rinkos dalies 2016 m $ / m pagrindu. Dabar jis pradeda tapo įdomu išnagrinėti skirtingus privalumus ir trūkumus įvairių tipų mono c-Si technologija.
Mono c-Si ląstelės gali būti iš esmės skirstomos į dvi kategorijas; p-tipo ir n tipo. P-tipo ląstelės yra legiruoti su atomų, kurie turi mažiau vieno elektrono kad silicis, pvz., Boras, todėl teigiamas (p) mokestis. N-tipo ląstelėse, kita vertus, yra legiruoti su atomai, kurie turi vieną daugiau elektronų nei silicio, todėl jie neigiami (n). Nors n-tipo ląstelės yra pasiūlyti didesnį našumą galimą negu p tipo ląstelių, jie brangesni (Lai, Lee, Lin, Chuang, Li, & Wang, 2016).
Pagrindinė problema susiduria ląstelių gamintojai bando parduoti p tipo c-Si ląstelių yra šviesos sukeltas skilimo (dangteliu). DANGTIS yra reiškinys, kuris veda prie vežėjo gyvavimo p tipo monokristalinio silicio ląstelių skilimo veikimo metu į šviesą; mažumų vežėjas gyvenimą smūgiuoja šviesą kaip perteklinis vežėjai yra švirkščiamas į ląstelę (Walter, Pernau & Schmidt, 2016). Mažumų vežėjas visą langelio, kuris yra apibrėžiamas kaip vidutinis laikas vežėjas gali praleisti sužadinimo būsenos po elektronų duobučių kartos prieš derinys, lemia ląstelių efektyvumą. Ląstelių trumpesnis mažumų vežėjas reklaminiuose skelbimuose su paprastai yra mažiau efektyvus nei ląstelių su ilgas tarnavimo laikas.
N tipo medžiagų saulės elementų gamybos procesas reikalauja kai kurių papildomų priemonių, lyginant su saulės elementai pagaminti ant p-tipo, skirta. Iš tiesų, p-tipo substratų turi tam tikrų pranašumų atsižvelgiant į tvarkymo ir saulės elementų, pvz., fosforo gettering, kuris padeda pagerinti saulės elemento efektyvumas, konkrečiai, mc-Si vafliai patogumui. Spinduolis susidarymo atveju n tipo substratų turi būti padaryta per boro difuzijos procesas, kuris reikalauja aukštesnės temperatūros, lyginant su fosforo difuzijos p tipo ląstelių, todėl ląstelių gamybos procesas sudėtingesnis. Be to, du atskiri difuzijos veiksmus (spinduolis ir BSF) procesą, teikia jį dar labiau sudėtinga ir brangu. Boro difuzijos metu, Kitas svarbus klausimas yra gimę turtingas sluoksnio (BRL) kuris tinka gettering tikslui bet pablogina vežėjo gyvavimo dideliais kiekiais. Pastaruoju metu, buvo sukurta ypač veiksmingas būdas pašalinti BRL be injekcijos gettering priemaišų.
Yra keletas saulės ląstelių struktūras su didesnį efektyvumą, kad jau buvo įgyvendinti sėkmingai naudotis n tipo substratai. 1 paveiksle parodyta šių struktūrų saulės elementų ant n tipo, skirta trumpai. Ląstelių struktūras, skirtas ant n tipo substratų bus trumpai aptarti ankstesniuose skyriuose. Šių ląstelių struktūras gali būti skirstomi pagal naudojamos ląstelių apdorojimo būdus ir apibūdinamos taip: (1) priekinio paviršiaus srityje (FSF) Al galinio-spinduolis ląstelių (n + np + ląstelių) arba gali turėti kontaktus, priekyje ar gale ir paprastai turi fosforo išsklaidytos FSF; (2) nugaros paviršiaus srityje (BSF) priekyje spinduolis ląstelių (p + nn + ląstelių) taip pat gali turėti kontaktus, arba ant priekinių ar galinių ir yra paprastai boro Neodimiu legiruoti išmetančios fosforo Neodimiu legiruoti BSF; (3) jonų implantuoti teršėjų ląstelių jonų implantacijos procesas, susidarantis spinduolis ir galima realizuoti už abiejų priekinių ir galinio kontakto schemos n + np + ir p + nn + struktūras; (4) heterojunction su būdingomis plonasluoksnės chromatografijos (HIT) ląstelių struktūrą.
Skaičius 1: N tipo substrato saulės elementų struktūros
