(1) Pjaustymas: kelių eilučių pjovimas, silicio strypas supjaustytas į kvadratinę plokštelę.
(2) Valymas: naudojant įprastą plokštelių valymo metodą, o tada, naudojant rūgšties (arba šarminės) tirpalą, bus pašalintas plokštelės pažeidimo sluoksnio paviršius, kad pašalintumėte 30-50 cm.
(3) Velveto paviršiaus paruošimas: šarminio tirpalo anizotropinės korozijos šarminio tirpalo panaudojimas plokštelės paviršiuje, kad būtų pagamintas aksomo paviršius.
(4) Fosforo difuzija: difuzijai naudojant dengimo šaltinį (arba skystą šaltinį, arba kietą azoto fosfato lakštą), iš esmės pn + mazgas, mazgas giliai 0,3-0,5 cm.
(5) Periferinis ėsdinimas: difuzinis sluoksnis, susidaręs ant silicio plokštelės paviršiaus, kai jis išsklaidomas, gali trumpam jungti viršutinį ir apatinį baterijos elektrodą ir pašalinti periferinį difuzijos sluoksnį, padengiant drėgną ėsdinimą arba sausą ėsdinimą.
(6) Nuimkite nugarinę pn + mazgą. Bendras šlapias ėsdinimas arba abrazyvinis plokštelės metodas, skirtas nugarinės pn + mazgo pašalinimui.
7) viršutinių ir apatinių elektrodų gamyba: vakuuminis garavimas, elektrolitinis nikelio dengimas arba aliuminio pasta. Pirmiausia padarykite apatinį elektrodą ir tada padarykite viršutinį elektrodą.Alumino pasta spausdinimas yra daug naudojamų procesų metodų.
(8) Apsaugos nuo užsiliepsnojimo plėvelės gamyba: siekiant sumažinti atspindžio praradimą, silicio plokštelės paviršius, padengiantis sluoksnį nuo slopinimo plėvelės. Antireflection plėvelių gamybos medžiagos yra MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, TA2O5 ir kt.
Proceso metodas gali būti naudojamas dulkių dengimui, jonų dengimui, purškimui, spausdinimui, pecvd arba purškimui.
(9) Sukepinimas: akumuliatoriaus lustų sukepinimas ant nikelio arba vario pagrindo plokštės.
(10) Bandymo failai: pagal parametrų specifikacijas, bandymų klasifikacija.
