Atgalinio paviršiaus lauko (BSF) saulės elementų technologija
Nugaros paviršiaus laukas (BSF) buvo naudojamas kaip viena iš priemonių pagerinti saulės elementų veikimą, sumažinant paviršiaus rekombinacijos greitį (SRV). Vienas iš BSF gamybos būdų yra ant galinio plokštelės paviršiaus įterpiant labai legiruotą sluoksnį.
Šilkografija marginti šiluminiai lydiniai iš aliuminio yra naudojami kartu, kad gautų AN galinio paviršiaus lauką (Al-BSF), galintį sumažinti efektyvų nugaros paviršiaus rekombinacijos greitį. Šis procesas buvo sujungtas į didelio efektyvumo, laboratorijos gamybos ir didelio našumo pramoninį procesą, kad būtų pasiektas toks saulės elementų efektyvumas, kai viršijamas 19,0% ir 17,0%.
Kritiniai proceso reikalavimai optimaliam Al-BSF susidarymui yra šie:
Greito rampos greičio naudojimas norint pasiekti legiravimo temperatūrą
Storas plėvelės Al nusodinimas prieš lydinį.
Bendras požiūris teikiant pramoninį p tipo silicio saulės elementų kontaktą, naudojant aliuminio legiruoto ekrano atspausdintą ir galinį kontaktą.
„Passivated Emitter Rear Contact“ (PERC) saulės elementų technologija
Norint padidinti saulės elementų užfiksuotų fotonų skaičių, PERC technologija elemento gale prideda du papildomus sluoksnius.
PERC saulės elementas
PERC („Passivated Emitter Rear Contact“) technologija yra galinio plokštelių paviršiaus pasyvinimo ir vietinių galinių kontaktų derinys. Šis procesas duoda didelių efektyvumą didinančių privalumų, ypač PV sistemos lygiu.
& lt; Išskirtinis našumas esant silpnam apšvietimui ir aukštai temperatūrai.
Didesnis energijos tankis kvadratinei pėdai nei įprastų monokristalinių elementų.
Padidėjusi šviesos absorbcija, nes neabsorbuota šviesa atsispindi atgal į saulės elementą.
Didesnis vidinis atspindėjimas; Elektronų rekombinacijos sumažinimas.
Šie sluoksniai pagerina elektronų judėjimą ląstelėje, taip pat sugrąžina šviesą atgal į ląstelę, suteikdami ląstelei antrą galimybę užfiksuoti elektronus, kurie priešingu atveju paprasčiausiai praeitų. Absoliutus PERC efektyvumo padidėjimas priklausys nuo gamintojo, bet maždaug galite tikėtis, kad ląstelėje padidės 1% efektyvumas. Tai reiškia, kad jei saulės kolektorių efektyvumas būtų 19%, naudojant PERC, ši plokštė gali padidėti iki 20%.
Tunelio oksido pasyvuoto kontakto (TOPCon) saulės elementų technologija
Vėl yra tas žodis „pasyvus“. Tiesą sakant, „TOPCON“ technologija iš esmės yra tik naujos kartos PERC ir, kaip ir jos pirmtakas, ją galima pridėti prie ląstelių, gaminamų tradiciniu būdu. Į TOPCon įpilama itin plono silicio dioksido (SiO2) ir fosforu legiruoto polikristalinio silicio sluoksnio.
Kadangi „TOPCon“ yra kitas logiškas žingsnis po PERC, tai gatavam produktui neprideda daug papildomų išlaidų. Jis gali papildomai padidinti efektyvumą, palyginti su PERC, tačiau jo teorinis maksimalus efektyvumas yra 23,7%. Svarbu pažymėti, kad vis dėlto dabartinė „TOPCon“ technologija viršija šiek tiek daugiau nei 22 proc.
Heterojunction (HJT) saulės elementų technologija
Heterojunction saulės elementai yra pagaminti iš besikeičiančių tradicinio kristalinio silicio ir amorfinio silicio sluoksnių, kurių pastarasis paprastai yra susijęs suplonasluoksnės saulės baterijos. Derinant du skirtingus sluoksnių tipus, HJT ląstelės sugeria daugiau šviesos bangos ilgių, o skirtingi sluoksniai veikia kartu, kad ląstelės būtų efektyviausios šiandieninėje rinkoje.
Deja, HJT technologija negali būti pagaminta tokiu pačiu būdu, kaip ir tradiciniai saulės elementai, todėl tam reikia didelių įrankių ir naujų pramonės procesų. Dėl to HJT saulės moduliai yra gana brangūs, nors jie ir pasižymi aukščiausios kokybės ir aukšto našumo reputacija.
HJT saulės elementų teorinis maksimalus efektyvumas yra didesnis nei 26,7%, tačiau dabartiniai tokių kompanijų kaip „REC Solar“ ir „Panasonic“ pasiūlymai padidina maždaug 24%.
Interdigitated back contact (IBC) saulės elementų technologija
Vietoj priekinio kontakto energijos konversijos IBC turi galinio kontakto energijos konversiją. Tai leidžia visą ląstelės priekį sugerti saulės spindulius, be šešėlių nuo metalinių juostų, daugiau fotonų paverčiant energija.
IBC saulės elementams ant galinio paviršiaus reikalingas suskaidytas (arba dryžuotas) užpilas, o kontaktai yra tik gale. Šį dopingą galima pasiekti užmaskuota difuzija, užmaskuota jonų implantacija ar lazeriu. Tada saulės elementai metalizuojami formuojant metalinius pirštus palei kiekvieną išsklaidytą sritį.
