Polikristalinis silicis susideda iš daugelio nedidelių vienakrypčių kristalų, išdėstytų nekryptiniu būdu, todėl daugelis pagrindinių jo savybių yra tokios pačios kaip ir monokristalinio silicio. Pagrindinis skirtumas yra tas, kad tarp kristalinių silicio kristalų dalelių yra grūdų ribos, o grūdų ribose dažnai yra daug amorfinių silicio atomų ir priemaišų atomų.
Grūduose, gretimuose grūdų ribose, taip pat yra daugiau dislokacijų, defektų, įtempių ir įtempių, todėl fotogeneruotų nešiklių, kuriuos sukelia žmogaus emisijos šviesa, gyvenimas polisilikone yra santykinai trumpas. Todėl junginių srovė polisiliciniuose saulės elementuose yra didelė, o atvirosios grandinės įtampa, trumpojo jungimo srovė, pripildymo faktorius ir efektyvumas nėra tokie dideli, kaip ir monokristaliniuose silicio elementuose.
Ir bendras fotoelektrinis specialus ~ 10 rūšių silicio juostos technologija tyrime, yra keturi labiau subrendę, būtent: (1) krašto maitinimo plėvelės metodas (EFG); (2) šokinėjimo dendrito metodas (DB); Silicio cilindro metodas (SB); (4) elektrinis purškimo metodas. Šiais keturiais metodais gaunamas apie 200 medžiagų storio silicis. Žiūrint išilgai silicio augimo krypties, turinčios vienodą kristalų orientaciją, ir žiūrint išilgai juostos pločio, kristalų kryptis yra sudėtingesnė, todėl dažnai vadinama, kad silicis su pluoštine kristalo struktūra yra pusiau kristalinis silicis. Saulės elementai, pagaminti iš pusiau kristalinių silicio plokštelių, pasiekė vidutinį efektyvumą daugiau nei 10 proc., O kai kurie pasiekė 15 proc.
Tarp jų: (1) krašto padavimo plėvelės metodas yra naudoti grafito formą, išgraviruotą su plyšio panardinimu į silicio lydymą, kapiliariniu reiškiniu, skystą silicį palei plyšį, o silicio silicio plokštelės silicio skystis palei plyšio kondensaciją aukštyn ruožas, tai yra, vienodo pločio ir storio silicio juosta; (2) šuolis panašus į dendrito metodą NAUDOJA du smulkius sėklų kristalus, kad jie būtų lygiagrečiai išplėsti į silicio lydalą, o silicio skystis tarp sėklų kristalų paviršiaus įtempimu sudaro sluoksniuotą mėnulio formos silicio plėvelę ir pakelia sėklų kristalą aukštyn. (3) silicio cilindro metodas - naudoti apie 125 mm plotį, apie 0,2 mm storio 9 sėklų kristalų gabalus, apsuptą 8-pusių formų, pailginti silicio lydymą ir tada pakelti į viršų. 8-jų pusių formos silicio cilindras su lazerio segmentacija, galite gauti vienodą storį, geresnę silicio kokybę. Dėl spartaus silicio vamzdžio augimo ir mažo žetonų nuostolio saulės elementų, pagamintų iš silicio vamzdžių pagrindų, efektyvumas pasiekė 12% ~ 14,5%. (4) elektroninis purškimo metodas yra polikristalinio silicio miltelių elektroninis purškalas iki aukštos temperatūros pagrindo, kuris sudaro 60 cm pločio, kelis metrus ilgio, gali būti apvyniotas polikristaliniu silicio juosta. Tipiniai fotovoltinių modulių, pagamintų iš šio elektroninio purškimo polikristalinio silicio juostos, parametrai yra: išėjimo galia. GV, geometrinis matmuo (LxwxH) -1633mm pyragas 660 mmx35mm (5) saulės klasės silicis: paprastai laikomas pigiu silicio tipu, galinčiu gaminti saulės elementus, kurių efektyvumas yra didesnis nei 10%.
Rengiami metodai, skirti saulės klasės siliciui gaminti iš skystojo sluoksnio reaktoriaus ir tiesioginio metalurginio silicio valymo. Aukšto grynumo granuliuotas polikristalinis silicis, pagamintas iš virimo sluoksnio reaktoriaus, katalizuoto cinko, buvo naudojamas kaip silicio saulės elementų žaliava. Savybės ir gamybos procesas yra tokie patys kaip ir monokristaliniai silicio saulės elementai. Kadangi monokristalinio silicio traukimas reikalauja daug energijos, o didelės didelio grynumo kvarco kainos padidina riziką, žmonės pradėjo tyrinėti polisilikono naudojimą kaip saulės elementų gamybos medžiagą 1960-aisiais. Tai daugiausia: l) plonasluoksnis polisiloksas: pigiuose substratuose, tokiuose kaip metalurgijos silicis, metalai), grafitas, keramika, naudojant cheminį garų nusodinimo metodą (VCD), pvz., Jonų sustiprintas cheminis garų nusodinimo metodas (PCDV) ir metalinis organinis cheminis garų nusodinimo metodas (M (X 2 VD), auga polikristalinio plono sluoksnio 20 ~ 50 mišinio M sluoksnis, todėl pagamintas iš polikristalinio silicio saulės elementų efektyvumo yra daugiau nei 10. (2) luitų polisiloksas: išlydytas silicis yra atšaldomas didinant grafito sūkurį, gaunant polisilicinį luitą su išilginiu grūdų ribos išdėstymu ir dideliu grūdų dydžiu, kuris supjaustomas daugialypio pjovimo staklėmis arba vidiniu apskritimo pjovimo įrenginiu, 2 ~ 0,4 m storio didelio ploto polikristalinių silicio plokštelių. iš to pagamintas silicio saulės elementas pasiekė 17% ~ 18. Palyginti su išgręžtu monokristaliniu siliciu, šis luitinis silicis turi trumpą gamybos ciklą, didelė gamyba t (iki 240 kg vienam asmeniui) luitą) ir žemą kainą.
