Saulės elementas

Daugiabučių, „Laser SE“ ir PERC technologijos naudojamos gaminant šią šeimos didelės galios saulės elementą. „Multibusbar“ yra su trumpesniais ir siauresniais tinklelio pirštais, todėl didesnis

Daugiau kartos, 156.75mm PERC buvo natūraliai modernizuotos iki bifacial 166mm PERC.Lazeris SE kartu su PERC technologija yra naudojamas, kad šios šeimos didelės galios saulės elementų. PREC yra

Multibusbar, Laser SE ir PERC technologija yra naudojama, kad šios šeimos didelės galios saulės elementų. Multibusbar yra rodoma su trumpesniais ir siauresniais tinklelio pirštais, dėl kurių

„Laser SE“ kartu su PERC technologija naudojamas gaminant šią šeimos didelės galios saulės elementą. PREC reiškia „Passivated Emitter“ ir „Rear Cell“. Tai pagrįsta P tipo monokristalinio silicio

PREC yra trumpas Passivated Emitter ir galinio elemento. Jis pagrįstas P tipo monokristaliniu silicio saulės elementu. PERC ląstelių technologija apibrėžia saulės elementų architektūrą, kuri skiriasi

Augant deimantinės vielos pjovimui, juodojo silicio populiarumas greitai išaugo ir jis atgaivino daugiakristalį silicį, o tai buvo ekonomiškai efektyvi ir labai efektyvi PV pramonei. Juodas silicis

Interdigituojamos galinio kontakto (IBC) elementų struktūroje spinduolis ir kontaktas yra tiek plokštelės galinėje pusėje, kuri leidžia nepriklausomai optimizuoti priekinį paviršių optinėms savybėms,

N tipo monofoniniai dvifaliai PERT (visiškai pasklidę pasyvi emiterio galinė difuzinė galia) silicio saulės elementai pasižymi dideliu ir stabilizuotu konversijos efektyvumu. N tipo silicio saulės

Daugiau kartos tą patį pėdsaką, PERC buvo natūraliai modernizuotos iki bifacial PERC. Tuo remiantis, dvišmietis PERC taip pat tampa svarbiu technologijų plėtros keliu. Dažniausiai naudojama

Ši šeima saulės elementai naudoja tiek MBB technologija ir PERC technologija monokristalinės plokštelės.MBB (Multi bus-bar) reiškia, kad saulės elementas yra įrengta 12 arba 16 busbars vietoj 4, 5