P tipo 210 mm monokristalinė saulės plokštelė

Augimo metodas

CZ

Kristališkumas

Monokristalinis

Lengvatinės ėsdinimo technikos（ASTM F47-88）

Laidumo tipas

P tipo

„Napson EC-80TPN“

P/N

Dopantas

Boras, Gallis

-

Deguonies koncentracija [Oi]

≦8E+17 at / cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Anglies koncentracija [Cs]

≦5E+16 at / cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Išgraviruoti duobės tankį (dislokacijos tankis)

≦500 cm^-3

Lengvatinės ėsdinimo technikos（ASTM F47-88）

Paviršiaus orientacija

& 100> ± 3 °

Rentgeno difrakcijos metodas (ASTM F26-1987)

Pseudo kvadratinių pusių orientacija

& lt 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Rentgeno difrakcijos metodas (ASTM F26-1987)

Atsparumas

0,5–1,5 Ωcm

Vaflių tikrinimo sistema

MCLT (mažumos operatoriaus tarnavimo laikas)

≧50 μs

„Sinton BCT-400“

(su įpurškimo lygiu: 1E15 cm^-3)

Geometrija

Visas kvadratas

Vaflinės šono ilgis

210 ± 0,25 mm

plokštelių tikrinimo sistema

Vaflių skersmuo

~ 295 ± 0,25 mm

plokštelių tikrinimo sistema

Kampas tarp gretimų šonų

90° ± 0.2°

plokštelių tikrinimo sistema

Storis

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (bendras storio pokytis)

≤27 µm

plokštelių tikrinimo sistema

Pjovimo būdas

DW

--

Paviršiaus kokybė

kaip supjaustyti ir išvalyti, nėra matomo užteršimo (neleidžiami aliejaus ar riebalų, pirštų atspaudai, muilo dėmės, srutų dėmės, epoksidinės / klijinės dėmės)

plokštelių tikrinimo sistema

Pjūklų žymės / laipteliai

≤ 15µm

plokštelių tikrinimo sistema

Nusilenkti

≤ 40 µm

plokštelių tikrinimo sistema

Metmenys

≤ 40 µm

plokštelių tikrinimo sistema

Čipas

gylis ≤0,3 mm ir ilgis ≤ 0,5 mm, maks. 2 / vnt; nėra V lusto

Plikomis akimis arba plokštelių tikrinimo sistema

Mikro įtrūkimai / skylės

Neleidžiama

plokštelių tikrinimo sistema