Šaltinis: „Fraunhofer ISE“
1 silicio saulės elementas su Al-BSF
Aliuminio galinio paviršiaus laukas (Al-BSF), sulydžius galinį kontaktą į pagrindą, gaunant n + pp + struktūrą, leido sumažinti rekombinaciją galinėje pusėje.
2 silicio saulės elementai su PERC
Pakeitus visiškai kontaktuotą Al-BSF elementą pasyvinto spinduolio ir galinės ląstelės (PERC) elementų struktūra vietiniais galiniais kontaktais, gaunamos geresnės elektrinės ir optinės savybės.
3 silicio saulės elementai su „TOPCon“
Tunelio oksido pasyvizuojantis kontaktas (TOPCon) susideda iš plono tunelinio silicio dioksido (apie 1,5 nm) ir legiruoto polisilicio sluoksnio pridėjimo tarp silicio pagrindo ir galinio metalinio kontakto. N tipo substrato atveju kaip užpakalinio kontakto konstrukcija naudojamas fosforu legiruotas polisilicio sluoksnis.
4 silicio saulės elementai su SHJ
Silicio heterojunkcinės saulės elementai (SHJ) naudoja pasyvuojančius kontaktus, pagrįstus vidinio ir legiruoto amorfinio silicio sluoksniu.
5 silicio saulės elementai su IBC
Interdigitated back contact (IBC) saulės elementas su dopingu ir abiejų poliškumų kontaktais vienoje pusėje reikalauja interdigituoto (arba dryžuoto) dopingo ant galinio paviršiaus ir turi kontaktus tik gale.
